「きぼう」日本実験棟において、FACETの再実験が開始されました

※日付は日本時間

「きぼう」日本実験棟において、先端材料の結晶成長実験「ファセット的セル状結晶成長機構の研究（FACET）」（代表研究者：稲富裕光　JAXA宇宙科学研究所准教授）の再実験が開始されました。

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FACET実験は、酸化物など最先端材料に使われるファセット結晶（平らな面を持つ結晶）の界面の成長過程や形態を詳細に観察することにより、結晶成長メカニズムを解明することを目的としています。使用する実験装置は、「きぼう」日本実験棟の流体実験ラック>に搭載されている溶液結晶化観察装置（Solution Crystallization Observation Facility: SCOF）です。

FACET実験は昨年の4月9日(木)から6月12日(金)にわたり実施されましたが、今回は、より高精度な実験データの取得を目指し行われます。
実験は、9月1日(水)午前11時50分に、地上からのコマンドにより開始されました。今後、2ヶ月にわたり実験を行う予定です。

実験では、薄いガラスの容器に試料を入れ、その両端に温度差を与え、ファセット成長（結晶が平らな面状に成長すること）させます。振幅変調顕微鏡で結晶成長の様子をとらえ、またマッハツェンダー型干渉顕微鏡で温度と濃度の変化を測定します。

ファセット結晶成長の過程を詳しく調べることにより、電子機器の性能に大きく関わる酸化物超伝導体や半導体材料における品質の高い結晶を得ることが期待されます。
これにより、太陽電池パネルで用いられる多結晶シリコンを効率良く製造することによるクリーンエネルギーの普及や、超伝導材料の特性向上によるリニアモーターカーなど大量輸送手段の普及、携帯電話の基地局など情報通信網の拡充などの貢献が期待されます。

　FACET実験紹介ページ：「ファセット的セル状結晶成長機構の研究（FACET）」