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搭載実験機器
外観図 |
主要諸元 | ||||
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サブシステム | コンポーネント | 諸 元 | ||
観察・計測部 | 三 次 元 流 速 計 測 系 |
CCDカメラ(3台) | 観察視野 | 直径28mm |
分解能 | 60μm | |||
照明 | 光源/出力 | ハロゲンランプ/100W | ||
側面観察CCDカメラ(1台) | 観察視野 | 33mm×44mm | ||
分解能 | 60μm | |||
赤外放射温度計測装置 | 計測範囲/分解能 | 0〜100℃/0.1℃ | ||
検出波長域 | 8〜12μm | |||
視野 | 34mm×46mm | |||
表面流速計測装置 | 光源 | 窒素パルスレーザ | ||
照射ビームパターン | 十字形(7mm×7mm,線幅0.9mm) | |||
観察視野 | 19mm×11mm | |||
分解能 | 12.4μm | |||
超音波流速計測装置 | 基本周波数 | 8MHz | ||
計測範囲/点数 | 最大0.32m/s/40点 | |||
サンプリング周波数 | 25Hz | |||
DVTR(5式) | 記録方式 | ディジタルコンポーネント方式(NTSC) | ||
VTR(1式) | 記録方式 | 8mm方式(NTSC) | ||
供試体部 | 液 柱 形 成 装 置 |
液柱形成部 | 液柱寸法 | 直径 28mm,高さ 20mm |
加熱ディスク | サファイアガラス/ITO膜蒸着ヒータ | |||
冷却ディスク | アルミニウム/ペルチェ素子 | |||
加熱冷却部 | 加熱温度/電力 | 80℃最大/100W最大 | ||
冷却設定温度 | 25℃ | |||
計測制御部 | 制御電子装置 | 温度制御方式 | PID制御方式 | |
温度センサー | ITO薄膜センサ及び極細K型熱電対 | |||
電源部 | バッテリ | 公称電圧/容量 | 28VDC/10 AH | |
種類 | Ni-Cd | |||
物理的特性 | 寸法 | 直径 715mm,高さ 800mm | ||
重量 | 約 140Kg |
外観図 |
主要諸元 | |||
サブシステム | コンポーネント | 諸元 | |
炉本体部 | 均熱炉 | 炉体数 | 6式 |
加熱方式 | 抵抗加熱(セラミックヒータ) | ||
炉内雰囲気 | 真空もしくは不活性ガス雰囲気 | ||
加熱温度 | 400゜C〜1600゜C(高温炉) | ||
200゜C〜500゜C(低温炉) | |||
温度均一性 | ± 4 ℃ | ||
冷却方式 | ヘリウムガス吹き付け冷却 | ||
冷却性能 | 約14℃/秒 | ||
計測制御部 | 計測制御装置 | 加熱制御方式 | PID制御方式 |
温度センサー | K型及びWRe型熱電対 | ||
温度計測点数 | 40点 | ||
電源部 | 炉用ドライバ | 供給電力 | 1000W/炉体(最大) |
バッテリ | 公称電圧/容量 | 制御部用 28VDC/4AH | |
電気炉用 50VDC/4AH | |||
種類 | Ni-Cd | ||
物理的特性 | 寸法 | 直径 715mm,高さ 630mm | |
重量 | 約 143Kg |
外観図 |
主要諸元 | |||
サブシステム | コンポーネント | 諸 元 | |
培養細胞 ユニット部 |
培養細胞ユニット (2式) |
液注入/排出方式 | 培養容器の上面に配置したシリコーン膜を 空圧で変形させ液を注入/排出する |
細胞培養容器 | 培養面積/容積:直径45mm/約9cc | ||
数量:12個/ユニット | |||
刺激薬 | 3種類(培養液、刺激薬 2種)/ユニット | ||
固定液 | 1種類/ユニット | ||
培養液等回収容器 | 12個/ユニット | ||
廃液容器 | 1個/ユニット | ||
駆動ガス供給ユニット | 低圧系統 | 液注入/排出機構駆動用(0.1気圧) | |
高圧系統 | 空圧バルブ駆動用(6気圧) | ||
作動ガス | 空気 | ||
温度制御部 | 定温制御機構 | 培養温度制御 | ヒータにより培養容器温度を約37℃に維持 |
試料冷却機構 | 固定試料冷却 | 液化炭酸ガスの気化熱を利用して細胞容器 を冷却し温度を20℃以下に保持す る | |
計測制御部 | 制御装置 | 温度制御方式 | PID制御方式 |
実験制御 | 実験シーケンス、各種電磁バルブ駆動制御 | ||
温度計測 | 培養容器温度を計測しメモリに蓄積 | ||
電源部 | バッテリ | 公称電圧/容量 | 28VDC/10AH |
種類 | Ni-Cd | ||
物理的特性 | 寸法 | 直径 715mm,高さ 410mm | |
重量 | 約 119Kg |
外観図 |
主要諸元 | ||||
サブシステム | コンポーネント | 諸 元 | ||
加熱部 | 単楕円型イメージ炉 | 主加熱源 | ハロゲンランプ | |
補助加熱源 | セラミックヒータ | |||
加熱温度 | 直径10mmのシリコン溶融(1430〜1600℃) | |||
炉内雰囲気 | アルゴンガス雰囲気 | |||
観察部 | X 線 観 察 装 置 |
X線発生器(2式) | 最大管電圧/電流 | 70KV/100μA |
焦点材料/寸法 | タングステン/10μm | |||
イメージインテンシファイア(2式) | 入力有効径 | 2インチ | ||
CCDカメラ(2式) | 有効画素数 | 約38万画素 | ||
DVTR(2式) | 記録方式 | ディジタル・コンポーネント方式(NTSC) | ||
実 体 観 察 系 |
CCDカメラ(1式) | 有効画素数 | 約40万画素 | |
DVTR(1式) | 記録方式 | ディジタル・コンポーネント方式(NTSC) | ||
計測制御部 | コントロールボックス | 加熱制御方式 | シーケンス制御 | |
温度センサー | R型熱電対 | |||
電源部 | 炉用電源 | 供給電力 | 1300W(最大) | |
バッテリ | 公称電圧/容量 | 28VDC/16AH | ||
種類 | Ni-Cd | |||
物理的特性 | 寸法 | 直径 715mm,高さ 630mm | ||
重量 | 約 119Kg |