M- 1 | : | 狭バンドギャップ三元混晶半導体鉛錫テルル単結晶の無重力下における結晶成長
山田智秋(日本電信電話(株) |
M- 2 | : | 無重力下における帯溶融法によるPbSnTe
大形単結晶の試作 岩井荘八(理化学研究所) |
M- 3 | : | 浮遊帯域溶融法による化合物半導体結晶の作製
中谷 功(金属材料技術研究所) |
M- 4 | : | 新超電導合金の溶製
戸叶一正(金属材料技術研究・梶j |
M- 5 | : | 粒子分散型合金の作製
村松祐治(金属材料技術研究所) |
M- 6 | : | 高剛性・超低密度炭素繊維/アルミ合金複合材料の製造研究
鈴木朝夫(東京工業大学) |
M- 7 | : | 無重力下におけるSiAsTe
アモルファス半導体の製造 浜川圭弘(大阪大学) |
M- 8 | : | 非可視域用光学材料の研究
早川惇二(工業技術院) |
M- 9 | : | 無重力下におけるサマルスカイトの合成
竹川俊二(無機材質研究所) |
M-10 | : | 無重力環境下における有機金属結晶の成長
安西弘行(工業技術院) |
M-11 | : | 無重力環境下における化合物半導体結晶の作成(InGaAs
の研究) 龍見雅美(住友電気工業(株)) |